2020年10月20日，英國(guó)倫敦，美國(guó)圣克拉拉-領(lǐng)先的電池和電源管理，Wi-Fi，低功耗藍(lán)牙（BLE），工業(yè)邊緣計(jì)算解決方案提供商Dialog Semiconductor和世界領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠GLOBALFOUNDRIES＆reg; （GLOBALFOUNDRIES＆reg;）今天宣布，已達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，將Dialog的導(dǎo)電橋RAM（CBRAM）技術(shù)從Dialog授予GLOBALFOUNDRIES。
這種基于電阻RAM（ReRAM）的技術(shù)由Adesto Technologies率先開(kāi)發(fā)，該技術(shù)于2020年被Dialog Semiconductor收購(gòu)。
;平臺(tái)，并計(jì)劃在將來(lái)將該技術(shù)擴(kuò)展到其他平臺(tái)。
Dialog獨(dú)特且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的CBRAM技術(shù)是一種低功耗NVM解決方案，設(shè)計(jì)用于一系列應(yīng)用，例如物聯(lián)網(wǎng)（IoT），5G連接性和人工智能（AI）。
低功耗，高讀寫(xiě)速度，較低的制造成本以及對(duì)惡劣環(huán)境的耐受性使CBRAM特別適合于消費(fèi)類(lèi)，醫(yī)療以及特定的工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用。
此外，CBRAM技術(shù)為這些市場(chǎng)中產(chǎn)品所需的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供了經(jīng)濟(jì)高效的嵌入式NVM。
Dialog Semiconductor公司發(fā)展高級(jí)副總裁兼工業(yè)混合信號(hào)業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Mark Tyndall表示：“ CBRAM是Adesto杰出的標(biāo)志性存儲(chǔ)技術(shù)之一。
將此技術(shù)添加到Dialog的產(chǎn)品組合中具有重要的戰(zhàn)略意義。
Dialog和Adesto合并后，GLOBALFOUNDRIES的許可合作證明了業(yè)務(wù)發(fā)展的速度。
展望未來(lái)，我對(duì)我們與GF的牢固合作關(guān)系充滿信心。
該許可協(xié)議不僅為業(yè)界提供了最先進(jìn)的技術(shù)，而且還為Dialog提供了在下一代片上系統(tǒng)（SoC）中采用高級(jí)CBRAM技術(shù)的機(jī)會(huì)。
GF汽車(chē)，工業(yè)和多市場(chǎng)業(yè)務(wù)部門(mén)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作表明Core致力于在進(jìn)一步為客戶提供差異化??優(yōu)勢(shì)和增值領(lǐng)域中增加投資。
Dialog的ReRAM技術(shù)是對(duì)我們領(lǐng)先的eNVM解決方案系列的很好的補(bǔ)充。
該內(nèi)存解決方案與我們的FDX平臺(tái)相結(jié)合，將幫助我們的客戶進(jìn)一步突破技術(shù)界限，并提供新一代的安全I(xiàn)oT和邊緣AI應(yīng)用程序”。
Dialog的CBRAM技術(shù)克服了ReRAM常見(jiàn)的集成和可靠性挑戰(zhàn)，提供了可靠且低成本的嵌入式存儲(chǔ)器，同時(shí)保持了低成本的ReRAM Voltage操作能力。
這意味著可以實(shí)現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)嵌入式閃存低功耗的讀和寫(xiě)操作。
到2022年，GF客戶可以在22FDX平臺(tái)上使用嵌入式NVM選件來(lái)使用CBRAM。
通過(guò)IP定制，客戶可以修改CBRAM單元以優(yōu)化其SoC設(shè)計(jì)，提高安全性或調(diào)整單元以適應(yīng)新的應(yīng)用。
另外，CBRAM作為“后端處理”。
技術(shù)，可以相對(duì)容易地集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)中。
